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存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，
如今有一些類型的存儲器(如EEPROM和閃存)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，并像ROM一樣在斷電時保持數據，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優缺點。
從軟件角度看，獨立的EEPROM和閃存器件是類似的，
兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節地修改，
而閃存器件只支持扇區擦除以及對被擦除單元的字、頁或扇區進行編程。對閃存的重新編程還需要使用SRAM，因此它要求更長的時間內有更多的器件在工作，從而需要消耗更多的電池能量。
設計工程師也必須確認在修改數據時有足夠容量的SRAM可用。
存儲器密度是決定選擇串行EEPROM或者閃存的另一個因素。
市場上可用的獨立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，獨立閃存器件的容量在32KB或以上。
如果把多個器件級聯在一起，可以用串行EEPROM實現高于128KB的容量。很高的擦除/寫入耐久性要求促使設計工程師選擇EEPROM，因為典型的串行EEPROM可擦除/寫入100萬次。閃存一般可擦除/寫入1萬次，只有少數幾種器件能達到10萬次。
今天，大多數閃存器件的電壓范圍為2.7V到3.6V。如果不要求字節尋址能力或很高的擦除/寫入耐久性，在這個電壓范圍內的應用系統采用閃存，可以使成本相對較低。
Sanyo DenkiBL Super, Robustsyn RB2451A-104 Motor
BONDSTRAND 12'' 5000TEEQLF GRE PIPE
BONDSTRAND GRE PIPE
Honeywell Ademco HDCLN0AES ACUIX ES Outdoor Scan,36X Wide
Koganei, DYNA DDAE50X100 Double Acting Cylinder
Microscan MS-610, FIS-0610-0004 Class 2
NNC 3005 Circuit Board
Alcatel SNIUBA01AA / HIF-M Circuit Board
Mitsubishi GM-S Gear Motor, 3 Phase, 200-220 Volts, 1.30-1.15 Amp, 100-120 RPM
Alcatel SNPQBFC1AA, 3AL 00136, CLK202 ICS 01 Card
Alcatel 3AL00124ABAB, SNPQCTM1AA, CLK202 ICS 02 Card
Power General 6104-L Power Supply
Harbor Manual Hand Press
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