目前，除了垂直式芯片外，覆晶型LED芯片也是業界極力發展的目標。覆晶型芯片的制作較立體型簡單許多，且可避掉復雜工藝，使得量產可行性大幅提升，加上后端芯片工藝金手指和過孔技術成熟輔助，以往必須種植多顆金球的固晶方式轉變為大面積P、N電極直接黏著支架，搭配上eutectic固晶方式，更大大的簡化了覆晶型芯片封裝的技術門坎，再者，縮短的封裝散熱路徑，相較于水平式芯片有較佳的散熱能力，驅動電壓也可下降，在未來節能減碳的驅動下，覆晶型芯片封裝會是很好的解決方案。
(一)覆晶型LED芯片封裝
基于上述封裝的考慮，目前采用的主要封裝技術為熒光粉涂布以及轉注工藝。熒光涂布是億光發展的技術，主要是在芯片上覆蓋一層薄薄的熒光層，如此可大幅提升組件的發光效率，目前億光已將此產品運用在高功率件上。
轉注工藝技術則原本是使用在小型的表面貼裝型產品上面獲得了很大成功，并進一步將此技術運用在高功率機種上，克服了硅成型與粘模等技術問題，目前由于TV等背光組件功率的提升與信賴性的要求，傳統的PPA反射蓋基板為有機材料，無法像硅或樹脂提供較佳的耐熱與耐光能力，為了有效提升信賴性，計劃將此轉注工藝技術運用在背光組件的產品上。
關于封裝尺寸，目前所能達成之最小高功率封裝體尺寸為3.0×3.0mm，甚至是2.0×2.0mm以下的樣品制備，然而目前市售最普遍的規格仍為 3.5×3.5mm產品，此一產品的應用面極為廣泛，因此，億光身為開啟固態照明時代的先鋒分子，億光電子將持續將小尺寸高功率技術應用于此產品上，以低成本的氮化鋁陶瓷基板搭配高反射率的反射鏡實施，制作此項產品所需的封裝支架，另外并會應用共金固晶的工藝技術，藉由金屬快速的將熱由LED中心地帶導向高導熱的氮化鋁陶瓷，以期降低LED組件的操作溫度，達成高效率(150lm/w)、高功率(3-5W操作)、長壽命(60000hrs)、低能耗的LED產品表現。
芯片選擇將與全球的優質合作伙伴共同致力于現有芯片的質量改良與降低成本，以及新芯片結構的快速開發，以期能以成本最低之大量生產的硅膠壓模工藝技術，降低現有LED芯片工藝的封裝成本，并以快速反應的光學結構設計符合新設計芯片結構的取光效果，務求達成量產成本最低、效率最高的設計目標。
節能減碳：覆晶型LED芯片封裝
(二)20W以上LED封裝
在LED封裝方面，COB封裝技術是另一大重點，10W以下LED不適用COB封裝技術，這個領域主流上仍然采用單顆大功率封裝形式;20W以上的LED則較適合采用COB封裝技術。目前日本LED球泡燈市場主要轉為以COB多晶封裝為主，傳統大功率芯片及模塊則大多用于MR16等指向性LED燈源。
目前COB封裝用得比較多的是鋁基板、銅基板和陶瓷基板等。每種材料的導熱系數不同，導致其導熱性能的差異，如鉆石的導熱系數是1000，其次是銀和銅為400左右，然后鋁是100多，而陶瓷的導熱系數在8-22之間。在絕緣材料中，陶瓷的導熱系數已經算是不錯，加上價格便宜，故許多封裝選擇采用陶瓷基板。
(三)高壓LED封裝
高壓LED產品的封裝技術重點在于延續上述優點，此外更應提供消費者更多的便利性，使得不同區域在不同的電壓操作條件下，都能得到快速且方便的應用。例如億光電子推出的4W產品，可直接利用電路板的線路串并聯設計來符合全球110V及220V不同的電壓源需求。且由于單一組件封裝體的電壓跨壓，可達 110V甚者220V，因此在開發高壓LED封裝時，億光電子堅持使用絕緣的陶瓷基板封裝體形式，以降低小尺寸之間正負電極火花放電的危險性。
除高功率LED外，高壓LED的封裝也是一大重點。高壓LED的封裝產品橫跨了1W、2W及4W的產品市場，而高壓產品的問世，就是以全新的思維解決固態照明因降壓電路的存在而造成多余能量耗損的問題，并進而協助終端消費者降低購買成本。同時，由于高壓LED芯片本身具藍寶石基板，側向光較一般的芯片為強，因此在封裝時應采用全角度均勻披覆的熒光粉設計，以求封裝體在全視角色溫一致，進而提升光的質量。
